雙向可控硅晶閘管(guan)使用(yong)中，應(ying)特別(bie)注(zhu)意以下事項：

1.靈敏度

雙向可(ke)控(kong)硅(gui)是(shi)(shi)一個三(san)端(duan)元件，但我們不再(zai)稱(cheng)(cheng)其兩極(ji)(ji)(ji)為陰陽極(ji)(ji)(ji)，而是(shi)(shi)稱(cheng)(cheng)作T1和T2極(ji)(ji)(ji)，G為控(kong)制極(ji)(ji)(ji)，其控(kong)制極(ji)(ji)(ji)上所(suo)加電(dian)(dian)壓(ya)無論為正向觸(chu)發(fa)脈沖或負向觸(chu)發(fa)脈沖均可(ke)使控(kong)制極(ji)(ji)(ji)導通，但是(shi)(shi)觸(chu)發(fa)靈敏度互不相同，即保證(zheng)雙向可(ke)控(kong)硅(gui)能進(jin)入(ru)導通狀態的較小(xiao)門極(ji)(ji)(ji)電(dian)(dian)流IGT是(shi)(shi)有區別的。

2.可控(kong)硅過載的保(bao)護(hu)

可控硅(gui)元(yuan)件(jian)(jian)優點很多，但是它過(guo)載能力差，短時(shi)間的過(guo)流，過(guo)壓都會造成元(yuan)件(jian)(jian)損壞，因(yin)此(ci)為保證元(yuan)件(jian)(jian)正常工作(zuo)，需有條件(jian)(jian)：

（1）外(wai)加電壓(ya)下允(yun)許超過正向轉折電壓(ya)，否則(ze)控制極將不起作用；

（2）可控硅的通態平均電(dian)流(liu)從(cong)安(an)全角度(du)考慮一般按較大電(dian)流(liu)的1.5~2倍來取；

（3）為保(bao)證控(kong)制極(ji)(ji)可靠(kao)觸(chu)發(fa)，加到控(kong)制極(ji)(ji)的(de)觸(chu)發(fa)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)一般(ban)取(qu)大于其額(e)值(zhi)(zhi)，除此(ci)以(yi)外，還必須采取(qu)保(bao)護(hu)措施，一般(ban)對過流(liu)(liu)(liu)(liu)的(de)保(bao)護(hu)措施是在電(dian)(dian)(dian)路(lu)中(zhong)串入快速(su)熔斷器，其額(e)定(ding)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)取(qu)可控(kong)硅電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)平(ping)均(jun)值(zhi)(zhi)的(de)1.5倍左右，其接(jie)入的(de)位置(zhi)可在交(jiao)流(liu)(liu)(liu)(liu)側(ce)或直(zhi)流(liu)(liu)(liu)(liu)側(ce)，當在交(jiao)流(liu)(liu)(liu)(liu)側(ce)時(shi)額(e)定(ding)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)取(qu)大些，一般(ban)多采用(yong)(yong)前者，過電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)保(bao)護(hu)常發(fa)生在存在電(dian)(dian)(dian)感的(de)電(dian)(dian)(dian)路(lu)上，或交(jiao)流(liu)(liu)(liu)(liu)側(ce)出現干擾的(de)浪(lang)涌電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)或交(jiao)流(liu)(liu)(liu)(liu)側(ce)的(de)暫態過程產(chan)生的(de)過壓(ya)(ya)。由(you)于，過電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)的(de)尖峰(feng)高，作用(yong)(yong)時(shi)間(jian)短，常采用(yong)(yong)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)和電(dian)(dian)(dian)容吸收電(dian)(dian)(dian)路(lu)加以(yi)。

淄博正高電氣有限公司不斷從事技術(shu)(shu)革新(xin)，改進生產工藝，提高技術(shu)(shu)水平。江蘇雙向可控硅模塊組件

可控硅模塊(kuai)的(de)(de)作用和優勢(shi)大家都知道，它(ta)的(de)(de)應用范圍是非常廣的(de)(de)，在不同設備上的(de)(de)使用方(fang)法也是不一(yi)樣的(de)(de)，那么在整(zheng)流(liu)電(dian)路(lu)中可控硅模塊(kuai)的(de)(de)使用方(fang)法是什(shen)么呢？下面正高來(lai)講一(yi)下在整(zheng)流(liu)電(dian)路(lu)中可控硅模塊(kuai)的(de)(de)使用方(fang)法。

在(zai)正弦交(jiao)流電(dian)壓(ya)U2的(de)正半周(zhou)期(qi)間，如果VS的(de)控(kong)(kong)制極(ji)沒有輸(shu)入(ru)觸(chu)發(fa)(fa)脈(mo)沖(chong)(chong)Ug，VS仍然(ran)不(bu)能導(dao)(dao)通(tong)，只有在(zai)U2處于(yu)正半周(zhou)，在(zai)控(kong)(kong)制極(ji)外加(jia)觸(chu)發(fa)(fa)脈(mo)沖(chong)(chong)Ug時，可控(kong)(kong)硅(gui)(gui)模塊(kuai)被(bei)觸(chu)發(fa)(fa)導(dao)(dao)通(tong)。只有在(zai)觸(chu)發(fa)(fa)脈(mo)沖(chong)(chong)Ug到來(lai)時，負載(zai)RL上才有電(dian)壓(ya)UL輸(shu)出Ug到來(lai)得(de)(de)早，可控(kong)(kong)硅(gui)(gui)模塊(kuai)導(dao)(dao)通(tong)的(de)時間就早；Ug到來(lai)得(de)(de)晚，可控(kong)(kong)硅(gui)(gui)模塊(kuai)導(dao)(dao)通(tong)的(de)時間就晚。 江(jiang)蘇(su)雙(shuang)向(xiang)可控(kong)(kong)硅(gui)(gui)模塊(kuai)組(zu)件淄博(bo)正高電(dian)氣有限公司不(bu)斷完善(shan)自(zi)我，滿足客戶(hu)需求(qiu)。

一種以(yi)硅(gui)單(dan)晶為基(ji)本材料的(de)P1N1P2N2四層(ceng)三(san)端器件，創制于1957年，由于它特(te)性(xing)類似于真空閘(zha)流(liu)管，所以(yi)國際上通稱(cheng)為硅(gui)晶體閘(zha)流(liu)管，簡稱(cheng)晶閘(zha)管T。又由于晶閘(zha)管開始(shi)應用于可控(kong)整(zheng)流(liu)方面所以(yi)又稱(cheng)為硅(gui)可控(kong)整(zheng)流(liu)元(yuan)件，簡稱(cheng)為可控(kong)硅(gui)SCR。

在性(xing)能上，可控硅不僅具有單向導電性(xing)，而且還具有比(bi)硅整流元(yuan)件(俗稱(cheng)“死硅”)更為可貴的(de)可控性(xing)。它只有導通和關斷兩種狀態。

可控硅能以(yi)毫安級(ji)電流(liu)(liu)控制(zhi)大功率(lv)的(de)機(ji)電設備，如(ru)果(guo)超過此頻(pin)率(lv)，因元件(jian)開關損耗(hao)明(ming)顯增加，允許通過的(de)平均電流(liu)(liu)相降(jiang)低(di)，此時，標稱電流(liu)(liu)應降(jiang)級(ji)使(shi)用(yong)。

可控(kong)硅的(de)優點(dian)很多(duo)，例(li)如：以(yi)小功(gong)率(lv)控(kong)制(zhi)大功(gong)率(lv)，功(gong)率(lv)放大倍(bei)數高達(da)幾十萬倍(bei);反應極快，在(zai)微秒級內開通、關斷;無(wu)觸點(dian)運(yun)行，無(wu)火花、無(wu)噪音(yin);效率(lv)高，成本低等等。

可控硅的弱點(dian)：靜態及動態的過載能力較差;容易受(shou)干擾而誤導通。

可控(kong)硅從外形上分(fen)類主要有：螺栓形、平(ping)(ping)板形和(he)平(ping)(ping)底形。

可(ke)控硅模塊主要優點如下：

（1）采(cai)用進口方形可控硅支(zhi)撐板，降低了可控硅模塊的電壓(ya)，功(gong)耗低，效率(lv)高，節能效果好。

（2）采用進口插(cha)入元件，保證晶閘(zha)管模(mo)塊觸發控制電路的可靠性(xing)。

（3）（DCB）陶瓷銅板采用獨(du)特(te)的處(chu)理和特(te)殊的焊接工藝，保證了(le)晶(jing)閘管(guan)組件的焊接層(ceng)無空(kong)腔，導(dao)熱(re)性好。

（4）導熱絕緣包裝材料具有優(you)異的隔熱防潮性能。

 （5）觸發(fa)控制電(dian)路(lu)、主(zhu)電(dian)路(lu)和(he)導熱基板(ban)相互隔離(li)，導熱基板(ban)不(bu)帶(dai)電(dian)，介(jie)電(dian)強度(du)≥2500V，保證安全(quan)。

（6）通過輸(shu)(shu)入(ru)0-10V直流控制信號，可(ke)以平滑地(di)調節主電路的(de)輸(shu)(shu)出電壓(ya)。

（7）可采(cai)用(yong)手(shou)動控制、儀表控制或微機控制。

（8）適用于電(dian)阻和電(dian)感負(fu)載。 淄博(bo)正高電(dian)氣有限公司歡迎朋友們指導和業務洽談。

可控(kong)硅模塊是有PNPN四層(ceng)半導體構(gou)成的元(yuan)件(jian)，有三個電極，陽極a，陰極K和(he)控(kong)制(zhi)機G所構(gou)成的。

可控硅模塊(kuai)的應(ying)用領(ling)域模塊(kuai)應(ying)用詳細(xi)說明介(jie)紹：

可(ke)(ke)控(kong)硅(gui)(gui)模塊應用于控(kong)溫(wen)、調光、勵磁、電(dian)鍍、電(dian)解、充放電(dian)、電(dian)焊(han)機、等離子拉(la)弧(hu)、逆變電(dian)源(yuan)等需對電(dian)力(li)能(neng)量(liang)大小進行調整和變換的場合，如工業、通(tong)訊、軍工等各(ge)類電(dian)氣(qi)控(kong)制、電(dian)源(yuan)等，根據(ju)還可(ke)(ke)通(tong)過可(ke)(ke)控(kong)硅(gui)(gui)模塊的控(kong)制端口與多功(gong)能(neng)控(kong)制板連接，實現(xian)(xian)穩(wen)(wen)流、穩(wen)(wen)壓、軟啟動(dong)等功(gong)能(neng)，并可(ke)(ke)實現(xian)(xian)過流、過壓、過溫(wen)、缺相等保護功(gong)能(neng)。 淄博正(zheng)高電(dian)氣(qi)有限(xian)公司得到市場的一致認可(ke)(ke)。江蘇雙向可(ke)(ke)控(kong)硅(gui)(gui)模塊組件

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可控硅是P1N1P2N2四層三端(duan)結(jie)構(gou)元件，共有三個PN結(jie)，分析原(yuan)理時(shi)，可以(yi)把它看(kan)作由一個PNP管和(he)一個NPN管所組(zu)成。當陽極(ji)(ji)A加上正(zheng)(zheng)向電(dian)(dian)壓時(shi)，BG1和(he)BG2管均處于放大狀(zhuang)態。此(ci)時(shi)，如果從控制(zhi)極(ji)(ji)G輸入一個正(zheng)(zheng)向觸發信號，BG2便有基(ji)流(liu)ib2流(liu)過，經BG2放大，其集(ji)電(dian)(dian)極(ji)(ji)電(dian)(dian)流(liu)ic2=β2ib2。因為BG2的(de)集(ji)電(dian)(dian)極(ji)(ji)直接與BG1的(de)基(ji)極(ji)(ji)相(xiang)連(lian)，所以(yi)ib1=ic2。此(ci)時(shi)，電(dian)(dian)流(liu)ic2再經BG1放大，于是BG1的(de)集(ji)電(dian)(dian)極(ji)(ji)電(dian)(dian)流(liu)ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電(dian)(dian)流(liu)又(you)流(liu)回到BG2的(de)基(ji)極(ji)(ji)，表(biao)成正(zheng)(zheng)反饋，使(shi)ib2不斷增大，如此(ci)正(zheng)(zheng)向饋循(xun)環的(de)結(jie)果，兩個管子的(de)電(dian)(dian)流(liu)劇增，可控硅使(shi)飽和(he)導通。

 由(you)于BG1和(he)BG2所構成(cheng)的正反饋作(zuo)用(yong)，所以一(yi)旦(dan)可控(kong)硅導通(tong)后，即使控(kong)制極G的電(dian)流消(xiao)失了，可控(kong)硅仍然能夠維持導通(tong)狀態，由(you)于觸發(fa)信號只起觸發(fa)作(zuo)用(yong)，沒有(you)關(guan)斷功能，所以這種可控(kong)硅是(shi)不可關(guan)斷的。

  由于(yu)可控硅只有(you)導通和關(guan)斷兩種(zhong)工作狀態，所以它具有(you)開關(guan)特性(xing)，這種(zhong)特性(xing)需(xu)要一定(ding)的條件才能(neng)轉(zhuan)化(hua) 江蘇雙向可控硅模塊(kuai)組(zu)件

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